气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文)

作者：李华; 李爱珍; 张永刚; 齐鸣

来源：红外与毫米波学报, 2007, (01): 1-4+9.

• 气态源分子束外延
• AlGaAs
• Si掺杂
• 电学性质
• 组分 gas source molecular beam epitaxy
• AlxGa1-xAs
• Si-doped
• electrical properties
• composition

研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率,用X射线双晶衍射迴摆曲线测量外延层的组份.测试结果表明,当AlxGa1-xAs中Al组份从0增至0.38时,Si的掺杂浓度从4×1018cm-3降至7.8×1016cm-3,电子迁移率从1900 cm2/Vs降至100 cm2/Vs.这与AlxGa1-xAs材料的Γ-X直接—间接带隙的转换点十分吻合.在AlxGa1-xAs...

• 单位
  华东师范大学; 信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所