位置敏感日盲深紫外光电探测器

作者：廖梅勇^*

来源：中国科学:物理学 力学 天文学 , 2021, 51(02): 159-160.

• 光电导
• 超宽禁带半导体
• 位置敏感探测器

超宽禁带半导体β-Ga2O3的带隙约为4.9 eV,是理想的日盲深紫外光电探测材料.最近,研究者利用β-Ga2O3薄膜,成功研制了四象限结构位置敏感日盲深紫外光电探测器.该研究为Ga2O3在深紫外光、X射线定位或成像等领域的实际应用提供了思路.