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摘要
石墨烯具有优异的热学性能与电学性能，为开发高灵敏高性能的MEMS温度传感器提供了巨大的潜力。但是裸露的石墨烯易吸附杂质和水分而影响其电学性能，对此论文提出了一种基于氮化硼/石墨烯/氮化硼异质结构的石墨烯温度传感器，两层氮化硼分别作为衬底与防护层。基于MEMS工艺完成了纳米薄膜的转移与器件的制备并进行了相应的测试表征分析。结果表明，传感器表面结构完整无缺陷，没有明显的污染物残留。转移后的石墨烯具有极高的质量，传感器具有优异的电学性能。温敏特性测试表明传感器具有很好的重复性与很小的迟滞，在30℃～300℃温度范围内，平均电阻温度系数为0.14%℃-1。
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