2～18GHz超宽带GaN分布式功率放大器MMIC

作者：韩雷; 边照科; 王生国; 刘帅

来源：半导体技术, 2023, 48(02): 146-150.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2023.02.008

• 超宽带
• 非均匀分布式功率放大器
• GaN
• 高效率
• 单片微波集成电路(MMIC)

介绍了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的2～18 GHz超宽带功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用两级非均匀分布式拓扑结构，通过调整各级管芯输出阻抗和微带线阻抗实现超宽带的功率匹配。在管芯前端增加电阻、电容并联结构，提升各级电路稳定性并提高截止频率。为改善整体电路布局，在前级和末级放大器之间加入50Ω微带线，既可便于单侧加电，又使芯片尺寸更加合理。测试结果表明，功率放大器MMIC在2～18 GHz频带内，连续波饱和输出功率达到10 W,功率增益大于15 dB,功率附加效率大于20%。GaN非均匀分布式功率放大器MMIC在超宽带、高功率等方面具有广阔的应用前景。

• 单位
  专用集成电路重点实验室; 中国电子科技集团公司第十三研究所