科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
为提高MoSe2的光电特性,以MoSe2粉末为原料、采用化学气相沉积法（CVD）在Si衬底上沉积Ag掺杂的MoSe2薄膜。测量并对比Ag掺杂前后MoSe2薄膜的表面形貌﹑晶体结构﹑光吸收特性以及MoSe2-Si异质结光电特性。结果表明:Ag掺杂并未改变MoSe2薄膜的晶体结构且掺杂Ag后的MoSe2的薄膜结晶度更好。掺杂后MoSe2的薄膜的电子迁移率增大6倍,电导率有着显著提高,从而使MoSe2的薄膜具有良好的伏安特性和光电响应。另外,还发现该Ag掺杂MoSe2的薄膜对可见光有更强的吸收性。以上结果表明MoSe2薄膜在光电器件领域和航天航空领域具有很大的应用潜力。
-
单位苏州科技大学; 数理学院
