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摘要
介绍了CO2低温气溶胶干洗技术的机理和清洗效果。描述了基于动量传递的颗粒去除理论模型，验证了亚微米颗粒的去除效率高于较大颗粒。用Si3N4颗粒在硅片上的实验结果表明，亚微米颗粒的去除率比30μm以下的较大颗粒高10%。介绍了该技术在光刻掩模版清洗中去除各种污染颗粒的实验结果。光刻掩模版的机械修复后清洁结果表明，石英颗粒被有效去除，而不会损坏相邻图形的线条。无机污染物，如硫酸铵，通过低温气溶胶清洗去除，效率达到99%，如使用光学检测工具所见。通过多次清洗测量清洗对掩模相位和透射的影响。结果表明，在16次清洗循环中，传动比变化为0.04%，相位变化为0.37°。因此，可以使用CO2低温气溶胶可以对来自掩模版的亚微米颗粒进行非侵入性清洁。
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单位中国电子科技集团公司第四十五研究所
