一种基于双面核/壳结构硅纳米线组的热电材料的制备方法

作者：王志亮; 陈雪皎; 朱美光; 陈云; 严强

来源：2012-03-01, 中国, CN201210051186.4.

本发明公开了一种基于双面核/壳结构硅纳米线组的热电材料的制备方法,该方法是在硅片上生长硅纳米线得到基于双面核/壳结构硅纳米线组的热电材料,其硅为核、外围包裹自然氧化层为壳,其硅纳米线直径为20～300nm、长度为150～155μm,该热电材料的热导率常温下为0.97Wm-1K-1,ZT为1.02。本发明得到的热电材料应用时无需去除氧化层,在纳米器件领域和新能源领域具有广阔的应用前景；本发明具有制备方法简单,低成本,高重复性,对环境要求低,适用于大规模工业生产。

• 单位
  华东师范大学