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摘要
针对当今电子设备高精度、低成本和低功耗的需求不断提高,介绍了实时时钟芯片的系统架构,提出了实时时钟芯片的关键技术及其实现方法,该芯片采用了动态温度跟踪方案和软硬件结合、模拟数字混合的补偿方案,在传统的实现架构基础上,集成了微小偏差补偿模块、老化偏移量寄存器、小步长可调节电容阵列和自动调测功能等关键模块。该芯片采用0.18μm CMOS的EEPROM工艺设计,通过仿真验证和实际测试,芯片达到了高于100 ns的微调精度,实现±2 ppm高精度守时,具有守时模式小于3μA的低功耗指标。
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针对当今电子设备高精度、低成本和低功耗的需求不断提高,介绍了实时时钟芯片的系统架构,提出了实时时钟芯片的关键技术及其实现方法,该芯片采用了动态温度跟踪方案和软硬件结合、模拟数字混合的补偿方案,在传统的实现架构基础上,集成了微小偏差补偿模块、老化偏移量寄存器、小步长可调节电容阵列和自动调测功能等关键模块。该芯片采用0.18μm CMOS的EEPROM工艺设计,通过仿真验证和实际测试,芯片达到了高于100 ns的微调精度,实现±2 ppm高精度守时,具有守时模式小于3μA的低功耗指标。
