温度梯度区域熔炼法制备2μm低吸收ZnGeP2晶体

作者：倪友保; 吴海信; 黄昌保; 程旭东; 王振友; 肖瑞春

来源：人工晶体学报, 2014, 43(06): 1367-1386.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2014.06.027

• ZGP晶体
• 籽晶温度梯度区域熔炼法
• 吸收系数

针对高温熔体生长的ZnGeP2(ZGP)晶体,易在能带边缘附近出现宽光学吸收带,难以直接应用的问题,开展了籽晶温度梯度区域熔炼生长方法探索研究,最终在较低温度(945℃左右)生长出20 mm×30 mm单晶,晶体2μm附近吸收系数处于0.160.3 cm-1之间。但采用当前方法,如何改善晶体光学均匀性、结晶质量,提高原料利用率等一系列问题,还有待进一步研究。

• 单位
  中国科学院安徽光学精密机械研究所; 中国科学院，安徽光学精密机械研究所