膜厚对AZO∶Si薄膜性能的影响

作者：周杨; 江美福

来源：材料科学与工程学报, 2013, (04): 529-534+597.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2013.04.002

• AZO∶Si
• 磁控溅射
• 膜厚
• 电光性质 AZO∶Si
• RF magnetron sputtering
• film thickness
• electrical and optical properties

近年来,Si基ZnO∶Al透明导电薄膜界面处Si的渗透对薄膜性能的影响引起了人们的关注。本文采用射频磁控溅射法,在石英和Si衬底上沉积了不同厚度的Al、Si弱掺杂(1wt.%)的ZnO薄膜(AZO∶Si),系统研究了膜厚(等价于Si的渗透深度)对薄膜电学、光学性质的影响。结果显示,膜厚在几十nm时,薄膜的电阻率、载流子浓度和迁移率都强烈地依赖于膜厚,在膜厚为19nm时,载流子浓度和迁移率接近最小,电阻率较大,且呈现p型导电特性。随着膜厚增加,载流子浓度和迁移率都变大,电阻率减小并趋于稳定,膜厚在396nm附近时电阻率最小是7×10-3Ωc#m,此时的载流子浓度和迁移率分别是1.54×1020c...

• 单位
  苏州大学