W波段高输出功率CMOS功率放大器研究与设计

作者:朱骁; 黄向荣; 贾海昆*
来源:微纳电子与智能制造, 2023, 5(02): 30-35.
DOI:10.19816/j.cnki.10-1594/tn.2023.06.030

摘要

针对长距离通信和雷达应用,基于65 nm CMOS工艺设计了一款工作在W波段的功率放大器。此放大器共采用5级级联结构以提高增益,采用差分共源共栅输出级与两路合成结构以提高输出功率。此外此电路中还采用了中和电容、共源共栅中间节点并联电感等技术来提高性能。后仿真实验结果表明,在电源电压为1.2 V(共源极)/2.2 V(共源共栅级)下,此功率放大器带宽为91.4~115.8 GHz,小信号增益达32.5 dB,在106 GHz频率下饱和输出功率(Psat)22.0 dBm,输出1 dB压缩点(OP1d B)功率为14.4 dBm,功率附加效率大于10%。

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