具有MXenes插入层的Ga-2O-3基紫外探测器及制备工艺

作者：苏杰; 张孜鑫; 常晶晶; 林珍华; 张进成; 郝跃

来源：2022-09-23, 中国, CN202211163076.7.

本发明公开了一种具有MXenes插入层的Ga-2O-3基紫外探测器及制备工艺,本发明在Ga-2O-3/SiC异质结之间插入了具有高迁移率的少层MXenes材料,使用的MXenes材料构型非镜面对称,其能带结构有一定坡度,从而增加了载流子的漂移速率,提升了Ga-2O-3基紫外探测器的响应度和响应速率。本发明的制备工艺中将MXenes材料转移到Ga-2O-3基紫外探测器的衬底上,形成的Ga-2O-3基紫外探测器的衬底上存在着空隙的、小面积的、非连续的MXenes材料,方便控制形核结晶,提高Ga-2O-3薄膜结晶度,处于Ga-2O-3晶界处的MXenes材料可以作为载流子传输的桥梁,促进载流子的运输。

• 单位
  西安电子科技大学