阻变存储器擦写PUF的实现方案

作者：张晓波; 易盛禹; 戴澜

来源：电子世界, 2019, (09): 36-38.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2019.09.014

• 阻变存储器
• PUF
• 实现方案

<正>由于阻变存储器(resistive random access memories,RRAM)独特的导电细丝形成原理,基于其的物理不可克隆函数(Physical Unclonable Functions,PUF)在硬件安全方面已受到了广泛的研究。这项工作提出了在RRAM擦写时实现PUF的方案。与传统的RRAM PUF不同,这种PUF利用了RRAM在擦写时导电细丝的随机性而得到随机的密钥,并且不需要特定的阻值分布和额外的硬件电路。本文通过1kb的RRAM阵列对其进行了评估,并利RRAM固有的随机性扩展了激励响应对空间,所得密钥的片外汉明距离和均匀性均接近50%。

• 单位
  电子信息工程学院; 北方工业大学