摘要
载流子迁移率测量是有机半导体材料与器件研究中的重要内容之一.以聚噻吩为电子给体材料,C_(60)的衍生物为电子受体材料,制备了一种单电荷传输器件.用空间电荷限制电流法测出了不同溶剂形成的活性层及不同温度热处理后器件中空穴的迁移率.结果表明:器件中电荷的传输J-V曲线符合Mott-Gurney方程,不同溶剂形成活性层中空穴具有不同的迁移率,高沸点的溶剂1,2-二氯苯形成的活性层具有较高的空穴迁移率,热处理有利于器件中空穴迁移率的提高.同时还进一步分析了空穴迁移率变化的原因.
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单位亚热带建筑科学国家重点实验室; 中国科学院; 华南理工大学