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摘要
非冷却热探测器的性能在光谱检测应用中仍需要提高。为了降低热噪声和减小暗电流，实现器件的高温工作性能，本文通过将器件的倍增层和吸收层分离设计后，选用In0.83Al0.17As作为倍增层材料，利用仿真软件Silvaco-TCAD,详细探究了不同温度对器件暗电流和光响应度的影响规律。结果表明，在高温160～300 K范围内，随着温度的升高，器件的暗电流增大，光响应度呈现先增大后减小的变化。利用公式进一步计算出，-500 mV和300 K时，器件的暗电流密度为0.485 A/cm2,1.5μm处的峰值响应度为1.818 A/W,零偏置微分电阻面积为0.053Ω·cm2,比探测率为3.26×109 cm·Hz1/2·W-1。
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