衬底温度对直流反应磁控溅射法制备的N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响

作者：王超; 季振国; 韩玮智; 席俊华; 张品

来源：人工晶体学报, 2007, 36(5): 1132-1135.

DOI：10.3969/j.issn.1000-985X.2007.05.034

• ZnO薄膜
• P型
• 直流反应磁控溅射

利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜.通过XRD、Hall和紫外可见透射谱分别研究了衬底温度对ZnO薄膜结构性能、电学性能和光学性能的影响.XRD结果显示所有制备的薄膜都具有垂直于衬底的c轴择优取向,并且随着衬底温度的增加,薄膜的晶体质量得到了提高.Hall测试表明衬底温度对p型ZnO薄膜的电阻率具有较大影响,400℃下生长的p型ZnO薄膜由于具有较高的迁移率(1.32 cm2/Vs)和载流子浓度(5.58×1017cm-3),因此表现出了最小的电阻率(8.44Ω·cm).

• 单位
  材料与化工学院; 杭州电子科技大学; 河南大学; 硅材料国家重点实验室; 物理与电子学院; 浙江大学