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摘要
本文在ZnO压敏电阻器的配方中掺入Si元素替换Cr元素,工艺上采用化学共沉淀法制备纳米粉体材料,通过化学共沉淀法制备制备了高纯、超细、均匀的优质复合粉体。掺杂Si后烧结过程中阻碍了晶粒长大,提高了压敏电阻梯度,该方法把梯度由原来的(200-220)V/mm由提高到(350-380)V/mm。添加剂的总质量减少40%以下,烧结温度降低了50℃。有效提高了性能,降低了生产成本。
- 单位
本文在ZnO压敏电阻器的配方中掺入Si元素替换Cr元素,工艺上采用化学共沉淀法制备纳米粉体材料,通过化学共沉淀法制备制备了高纯、超细、均匀的优质复合粉体。掺杂Si后烧结过程中阻碍了晶粒长大,提高了压敏电阻梯度,该方法把梯度由原来的(200-220)V/mm由提高到(350-380)V/mm。添加剂的总质量减少40%以下,烧结温度降低了50℃。有效提高了性能,降低了生产成本。
