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摘要
本发明公开了一种集成外围电路的氮化镓基传感器及其制备方法,为层叠式的阶梯结构,包括形成台面隔离的电路区和传感器区；所述的电路区和传感器区下部具有共同的衬底、缓冲层和高阻GaN层；所述的传感器区用于将外部压力转化为电信号,所述的电路区用于处理所述电信号。优点在于,通过在传感器区外围直接设计和制造用于信号采集处理的电路区,实现压电传感器的单片集成化,具有高性能、高可靠性、体积小和成本低的优点。此外,本发明所述的产品和方法与常规GaN#HEMT的制备工艺高度兼容,实现方法简单可靠,从而保证低成本。
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