两种环栅MOS管的等效宽长比分析研究

作者：周枭; 罗萍; 凌荣勋; 吴昱操; 蒋鹏凯

来源：微电子学, 2019, 49(05): 718-723.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180502

• 总剂量辐射
• 环栅管
• 宽长比
• b字形
• 8字形

对抗总剂量辐射加固中常用的两种环栅MOS管的等效宽长比进行了研究。对b字形环栅管的宽长比计算模型进行验证,发现b字形环栅结构无法实现小宽长比。分别在0.35μm和0.18μm工艺下进行流片测试,发现该计算模型的准确性较低,测试样品的宽长比最大偏差超过30%。针对b字形环栅结构的缺点,设计了8字形环栅结构,可实现小宽长比管和倒比管,宽长比的值易于预估,且几何尺寸与直栅结构相近。在0.18μm工艺下进行流片验证。测试结果表明,8字形环栅管的饱和电流偏差值均在6%以内,宽长比预估值的准确性较高,能够非常方便地被应用于实际设计中。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室