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摘要
本实用新型公开的衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成器件,包括HEMT区以及LED区；其中,所述HEMT区包括从下到上依次分布的转移衬底、键合层、钝化层、栅源电极、AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN背势垒层和AlN/GaN缓冲层；所述LED区包括从下到上依次分布的转移衬底、键合层、钝化层、n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层和p电极；所述HEMT区的AlGaN势垒层与GaN沟道层的界面处为HEMT区的AlGaN/GaN异质结；所述HEMT区的AlGaN/GaN异质结与LED区的n-GaN层相连,实现器件导通,能够将电流驱动的LED转变为电压驱动。本实用新型利用GaN HEMT高频率、高功率的优势,可将原本由电流驱动的LED转变为电压驱动,且内部无需电极互联,减小器件寄生电阻,可用于实现集成化、微型化、稳定的可见光通信系统。
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