2μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器理想因子的研究

作者：李翔; 汪宏; 乔忠良; 张宇; 徐应强; 牛智川; 佟存柱; 刘重阳

来源：红外与激光工程, 2018, 47(05): 10-14.

• 半导体激光器
• 理想因子n
• 单量子阱

展示了一种低阈值(~131 A/cm~2)2μm InGaSb/AlGaAsSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)激光器,并对该激光器的理想因子n进行了研究。激光器的总体理想因子n由中央pn结的理想因子n和n型GaSb衬底与n型金属之间形成的整流结的理想因子n两部分组成。当温度从20℃升高到80℃时,激光器的总体理想因子n从4.0降低至3.3。该结果与所使用的理论模型以及独立的GaSb材料整流结(pn结、GaSb/金属结等)理想因子n的数值是相吻合的。

• 单位
  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 中国科学院半导体研究所; 长春理工大学; 高功率半导体激光国家重点实验室; 发光学及应用国家重点实验室; 半导体超晶格国家重点实验室