InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制

作者：李永富; 唐恒敬; 李淘; 朱耀明; 汪洋; 殷豪; 李天信; 缪国庆; 李雪; 龚海梅

来源：红外与激光工程, 2009, (06): 951-956.

• 二次离子质谱
• 扫描电容显微技术
• Zn扩散 Secondary ion mass spectroscopy(SIMS)
• Scanning capacitance microscopy(SCM)
• Zn diffusion

采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究。SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大。SCM法是一种新颖快捷的...

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院研究生院; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 红外物理国家重点实验室; 传感技术国家重点实验室