为厘清铜电沉积过程中枝晶生长规律,探讨了各因素如有无添加剂(盐酸、十二烷基硫酸钠和明胶)、电压、Cu2+浓度等对铜面电极电沉积过程中枝晶生长的影响。结果表明,无添加剂时,增大电压和Cu2+浓度,都有利于增加铜枝晶数量;高电压,尤其是电压为25 V时,铜枝晶现象十分显著。盐酸能促进铜枝晶分形,而十二烷基硫酸钠、明胶可以抑制铜枝晶生长现象。
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