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摘要
采用化学气相沉积法制备拓扑绝缘体Bi2Se3纳米线.系统分析生长温度和气体流量对Bi2Se3纳米线的形貌、晶体质量的影响，并研究Bi2Se3纳米线的圆偏振光致电流.研究结果表明，Bi2Se3纳米线的最佳生长温度为530℃,气体流量为30 mL·min-1.通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼等表征手段，表明所生长的Bi2Se3纳米线具有较高的质量. Bi2Se3纳米线的光电流随着四分之一波片的变化表明，Bi2Se3纳米线具有较强的自旋轨道耦合效应.圆偏振光致电流随入射角的增大而减小，这是因为Bi2Se3的对称性结构为C3V.相比Bi2Se3薄膜或者Bi2Se3纳米片，Bi2Se3纳米线具有更大的CPGE电流，这可能是因为纳米线具有更大的比表面积，可以避免表面态信号淹没在体态信号中.
