ULSI关键工艺技术——纳米级化学机械抛光

作者：张楷亮; 宋志棠; 封松林; ChenBomy

来源：微纳电子技术, 2005, (07): 44-47.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2005.07.009

• 超大规模集成电路
• 化学机械抛光
• 纳米
• 抛光液
• 全局平坦化 ULSI
• chemical mechanical polishing(CMP)
• nanometer
• polishing slurry
• global planarization

IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高。在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光(CMP)方法的发展、应用及展望。