高压大电流MCT导通特性及缓冲层结构研究

作者：周涛^*; 李媛; 吴元庆; 陆晓东

来源：渤海大学学报(自然科学版), 2018, 39(04): 360-369.

DOI：10.13831/j.cnki.issn.1673-0569.2018.04.011

• MCT
• 设计
• 导通特性
• 缓冲层
• 阻断电压
• 饱和压降

高压大电流MOS场控晶闸管(MCT)在一些大型专用军事设备中起着难以替代的作用,进一步改善MCT的输出特性对提高我国战略武器和常规武器水平具有重大意义.首先根据电参数指标要求,利用TCAD半导体器件仿真软件对高压大电流MOS场控晶闸管(MCT)单胞横向、纵向结构参数进行设计.然后基于非等温能量平衡模型,全面系统地分析了在不同的阳极电压和阳极电流情况下,MCT导通特性的变化特点和规律.最后对MCT所采用的缓冲层结构对正向阻断电压与饱和压降的影响进行了详细地研究.仿真结果表明:在不同的阳极电压和电流情况下,MCT内部电流路径变化、电流路径上等效导通电阻的变化及晶格温度是影响MCT导通特性的主要因素.当栅极-阴极电压一定时,随着阳极电压增大,阳极电流先增大后减小.随着阳极电流增大,阳极电压出现振荡和负阻现象.当缓冲层厚度一定时,随着缓冲层掺杂浓度的增大,正向阻断电压呈现先增大后减小再增大的变化特点,当缓冲层掺杂浓度一定时,随着缓冲层厚度的增大,正向阻断电压先增大后减小.缓冲层掺杂浓度越高、厚度越厚,MCT饱和压降越大.

• 单位
  渤海大学