摘要
本发明公开一种高离子电导率的包覆负极材料,其由负极材料和包覆材料按质量比为(10-1000):1制备而成;所述包覆材料为高离子电导低熔点盐,其离子电导率为10~(-1)~10~(-4)S/cm、熔点为50~350℃。同时还公开了其制备方法,包括将负极材料、包覆材料混合均匀得混合料;在保护气氛下进行加热反应、降温至室温;研磨得到包覆负极材料。本发明利用具有高离子电导率、低熔点的盐在负极材料表面构建一种稳定的人工SEI膜,一方面能解决硅基材料、硬碳材料作为负极材料的低离子电导率;另一方面又能提供稳定的缓冲层应对充放电过程中硅的巨大的体积变化,从而实现优异的倍率性能和循环性能。
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