基于InP DHBT工艺的DC～45 GHz 1∶8低相噪静态分频器

作者：张敏; 孟桥^*; 张有涛; 张翼; 程伟; 李晓鹏

来源：固体电子学研究与进展, 2020, 40(04): 247-251.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2020.04.003

• 静态分频器
• 磷化铟
• 超宽带
• 低相噪

采用0.7μm InP DHBT工艺设计并实现了一款超宽带1∶8静态分频器芯片,内部分频采用电流模式逻辑结构实现,针对InP DHBT器件的高频特点对内部各电路进行了合理优化,实现了整个工作带宽内的宽输入功率范围和高输出信号平坦度。测试结果显示,正弦波输入时芯片可工作在0.2～45.0 GHz超宽带范围内,输入功率覆盖-10～+7 dBm,输出功率大于3.9 dBm,38 GHz输入时相位噪声优于-140 dBc/Hz,总功耗0.29 W。

• 单位
  南京国博电子有限公司; 东南大学