改善PECVD制程良率的方法初探

作者：张小忠

来源：中国设备工程, 2018, (14): 78-79.

• PECVD
• 制程良率
• 改善方式

研究对PECVD制成良率进行改善和优化的方法,在PECVD中,Active在Gate膜的上方,Gate膜属于金属膜,设置在玻璃基板之上,而Active膜属于半导体膜,能够划分为5个层次,GH膜与上述两种膜产生直接接触,厚度为H,选择一定厚度的GH层进行沉膜处理,厚度为H1,通过毛刷清洗的方式将表面杂物清理干净,然后进行二次沉膜,主要针对表面凹凸不平之处,厚度为H2,H2属于H与H1的差值,随着H2数值的不断减小,使PECVD制程良率得到有效的改善。