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摘要
本发明公开了一种在硅片上复合In2O3箭状纳米结构的半导体材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,其衬底表面生长有In2O3晶体；所述的In2O3晶体长度为5～15μm,顶端为多面体结构,底部为棒状结构,棒状结构具有四个面,并从顶端到底端逐渐变细,10～30个箭状纳米结构底部聚在一起形成一个花束状结构。其制备方法是以In颗粒作为原料,利用热蒸发方法生长得到In2O3箭状纳米结构。本发明具有大面积生长,成本低,重复性高等优点,可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺,适合于集成纳米光电子器件的发展。
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