以光催化还原CO_2为出发点,介绍了石墨相氮化碳(g-C_3N_4)形貌调控、元素掺杂、p型半导体与g-C_3N_4形成p-n异质结等方法改性g-C_3N_4。相比较体相g-C_3N_4,改性后的g-C_3N_4具有更多的反应活性位点,能够显著降低光生电子空穴的复合几率,提高光催化还原CO_2性能。给出了可能的反应机理,对未来g-C_3N_4基催化剂还原CO_2的前景进行了展望。
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