高K/ZnO/低In组分InGaAs的MOS电容及制备方法

作者：刘琛; 吕红亮; 杨彤; 张玉明; 张义门

来源：2018-04-04, 中国, CN201810293522.3.

本发明公开了一种高K/ZnO/低In组分InGaAs的MOS电容及制备方法,主要解决现有同类器件界面态密度高的问题,其自下而上包括：欧姆接触金属(1)、衬底(2)、GaAs缓冲层(3)、InGaAs沟道层(4)、ZnO钝化层(5)、高K氧化层(6)和金属栅电极(7)。其中InGaAs沟道层掺杂浓度为1×1017/cm3,厚度为15#30nm,ZnO钝化层厚度为1#5nm,高K氧化层使用Al2O3或ZrO2氧化物,其厚度为5#10nm。本发明降低了器件的界面态密度,改善了高K/InGaAs界面缺陷,提高了击穿场强,减小了栅极漏电,可用于互补金属氧化物半导体器件的制作。

• 单位
  西安电子科技大学