基于PCRAM数据页聚簇的缓冲算法

作者：李顺芬; 陈小刚; 周密; 李鸽子; 王玉婵; 宋志棠

来源：中国集成电路, 2014, Z1: 30-40.

• 固态硬盘
• 缓冲管理
• 聚簇
• 置换策略
• 相变存储器

针对Flash写前需擦除,读写I/O开销不均衡等固有缺陷,研究面向闪存缓冲区管理,对提高基于Flash的固态硬盘(Solid State Disk,SSD)访问性能以及降低系统功耗具有重要理论意义和应用价值。文章提出了一种新型存储架构,并实现了一种适用于SSD的基于相变存储器(Phase Change Memory,PCRAM)数据页聚簇的缓冲算法。文章中详细介绍了基于PCRAM聚簇的缓冲算法关键技术及原理,充分阐述算法相关元数据、存储数据、FTL管理与控制以及详尽分析了缓冲算法的读、写操作控制原理,最后通过FlashSim仿真平台实现SSD写缓冲。基于仿真结果与传统缓冲算法性能比对,分析得出该缓冲算法可降低SSD随机写次数和SSD数据存储分散性,并提升SSD响应速度,降低系统功耗。

• 单位
  中国科学院