LiF掺杂对ZnO-TiO2系陶瓷的结构和微波介电性能的影响

作者:温梦涛; 张效华*; 侯维帅; 张佩; 朱剑锋; 岳振星
来源:电子元件与材料, 2023, 42(10): 1209-1216.
DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.0028

摘要

微波器件的高频化、片式化和多功能化是通信技术中重要的发展方向,超低损耗(高Q值)的低温烧结微波介质陶瓷是LTCC技术的关键材料,其中ZnO-TiO2系微波介质陶瓷备受关注。通过固相反应法,选用氟化锂(LiF)作为烧结助剂,对ZnO-TiO2系陶瓷进行掺杂烧结。研究LiF对其烧结行为、相热稳定性和微波介电性能的影响。分析表明:一定量的LiF掺杂能够将ZnO-TiO2陶瓷的烧结温度从1100℃降低到1020℃左右;对于不同LiF掺杂量的ZnO-TiO2陶瓷,其物相均为Zn2TiO4尖晶石和TiO2金红石的复合相组成;当掺杂LiF为质量分数1%时,1065℃烧结的陶瓷样品具有最优的微波介电性能:εr=27,Q×f=21300 GHz,τf=43.2×10-6/℃。

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