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摘要
本发明公开了一种P型基区碳化硅DAS器件及其制备方法,P型基区碳化硅DAS器件,包括：衬底、外延结构、阳极和阴极,外延结构依次包括位于衬底一侧的N+缓冲区、P-基区、P+缓冲区和P+区,阳极位于外延结构远离衬底的一侧,阴极位于衬底远离N+缓冲区的一侧,本发明引入P+区/P+缓冲区/P-基区/N+缓冲区的外延结构,有利于消除局部电场集中,使得碳化硅DAS器件内部电场均匀分布,从而降低表面电场对刻蚀角度的敏感性,确保碳化硅DAS器件正常工作。此外,制备具有P+缓冲区和P-基区的碳化硅DAS器件时可使用纯刻蚀斜面终端,无需进行离子注入,不仅有效降低了工艺复杂度,同时也能够避免离子注入带来的材料缺陷。
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