Te元素掺杂Bi2Se3拓扑绝缘体纳米线的反弱局域效应(英文)

作者：田锋; 周远明; 张小强; 魏来明; 梅菲; 徐进霞; 蒋妍; 吴麟章; 康亭亭; 俞国林

来源：红外与毫米波学报, 2017, 36(03): 270-275.

• 拓扑绝缘体
• Bi2Se3纳米线
• 反弱局域
• 退相干长度

采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi2Se3和Bi2(TexSe1-x)3纳米线,研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi2(TexSe1-x)3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.结果表明,Te掺杂可以有效抑制体电导对输运过程的影响.通过对不同温度下的磁电导曲线进行拟合,得到了电子的退相干长度l_φ,l_φ从1.5 K时的389 nm减小至20 K时的39 nm,遵循l_φ∝T-0.96指数变化规律.分析表明,在Te掺杂样品的输运过程中,电子-电子散射和电子-声子散射均起到了十分重要的作用.

• 单位
  湖北工业大学; 红外物理国家重点实验室; 合肥微尺度物质科学国家实验室; 电子工程学院; 中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学技术大学