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摘要
超高纯镉纯度为99.99999%，由其制备的CdZnTe晶体广泛用于光电器件、红外探测器、核辐射探测器等。超高纯镉的制备方式主要为区域熔炼法，研究表明杂质元素的平衡分离系数、熔区长度、区熔次数、区熔速度对工艺的提纯效果有直接影响。在高纯氢气的保护下，区熔速度为30～50 mm/h，前6次熔区长度为7～10 cm，后6次熔区长度为5～7 cm，经过12次区熔后，材料中的杂质5.77 ppm降低到0.1 ppm以下，满足了半导体及光电材料的应用需求。
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超高纯镉纯度为99.99999%，由其制备的CdZnTe晶体广泛用于光电器件、红外探测器、核辐射探测器等。超高纯镉的制备方式主要为区域熔炼法，研究表明杂质元素的平衡分离系数、熔区长度、区熔次数、区熔速度对工艺的提纯效果有直接影响。在高纯氢气的保护下，区熔速度为30～50 mm/h，前6次熔区长度为7～10 cm，后6次熔区长度为5～7 cm，经过12次区熔后，材料中的杂质5.77 ppm降低到0.1 ppm以下，满足了半导体及光电材料的应用需求。
