中频磁控反应溅射制备c轴择优取向AlN薄膜

作者：汪振中; 褚夫同; 刘兴钊

来源：功能材料, 2010, S3: 449-451.

• AlN
• 中频反应溅射
• Raman光谱 AlN
• middle-frequency sputtering
• Raman spectrum

通过中频磁控反应溅射,在Si(100)衬底上沉积AlN薄膜,并用X射线衍射、扫描电子显微镜和Raman光谱表征AlN薄膜的微观特征。实验中,研究了氮分压、靶基距、溅射功率对AlN薄膜质量的影响,并优化参数制备高质量的c轴取向的AlN薄膜。结果表明,提高溅射功率、降低靶基距以及降低氮分压,有利于c轴择优取向AlN的生长。在优化条件下制备的AlN薄膜具有高度c轴取向,(002)摇摆曲线的半高宽为5.7°,Raman光谱E2(high)声子峰的FWHM为13.8cm-1。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学