Flash存储器浮栅单元的总剂量效应统计性分析

作者：梁润成; 陈法国^*; 郭荣; 韩毅; 刘兆行; 张静; 赵日

来源：微电子学, 2022, 52(01): 150-156.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.210234

• 总剂量效应
• Flash存储器
• 可靠性分析
• 极小子样

针对核设施机电设备中控制系统存储单元耐辐射可靠性评价的需要，以国产NOR型Flash存储器为研究对象，对器件存储阵列浮栅单元的总剂量损伤阈值开展了实验研究。综合利用SMOTE算法和Bootstrap法建立了一种基于极小子样的器件耐辐照可靠性评价方法，对被测样品校验失效剂量进行了统计分析。实验结果表明，器件浮栅单元的主要失效模式为浮栅电荷损失造成的阈值电压降低，平均校验错误剂量为(631.89±103.64)Gy(Si)。统计分析表明，器件总剂量损伤阈值服从对数正态分布。基于SMOTE-Bootstrap的可靠性评价方法避免了传统Bootstrap再生样本过于集中的问题，可应用于极小子样的可靠性评价。

• 单位
  中国辐射防护研究院