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摘要
本文针对5G毫米波功率放大器（Power amplifier, PA）高输出功率和高线性度的需求，对PA功率和线性度受限机理进行了深入分析。在此基础上，提出了一种采用峰化电感技术和两路合成结构提升输出功率，以及采用PMOS补偿电容、二阶谐波和低阻抗网络来改善宽带调制下线性度的PA电路。基于5G毫米波26GHz频段应用，该PA采用65nm CMOS SOI工艺进行实现。测试结果表明，该PA在26GHz，实现了20.8dBm的OP1dB和21.3dBm的Psat，峰值PAE为26.15%。在调制信号测试中，使用5G NR 400 MHz 1-CC 64-QAM和256-QAM OFDM信号，该PA支持5%和3%的均方根误差矢量幅度（EVM），和实现平均输出功率（Pavg）分别为15.5dBm和14.4dBm。
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