硅质叶面阻隔剂对豆芽Cd积累的抑制效应及机理分析

作者：吴烈善^*; 俞丹丹; 卢小勇; 牛润; 周阳波

来源：广西大学学报(自然科学版), 2018, 43(05): 2055-2060.

DOI：10.13624/j.cnki.issn.1001-7445.2018.2055

• Si
• Cd
• 豆芽
• 叶面阻隔剂
• FTIR

为探索硅质叶面阻隔剂对豆芽Cd积累的抑制效果与作用机理,采用水培方式培养豆芽,喷施硅质叶面阻隔剂,然后测定了豆芽的根长、株高、叶绿素含量、不同部位Cd含量、Cd化学形态,并分析了豆芽不同部位的傅里叶红外光谱图。结果表明,与对照组相比,喷施硅质叶面阻隔剂能够促进豆芽生长,抑制豆芽对培养液中Cd的吸收,且对豆芽根部与茎部Cd积累的抑制效果最为显著;通过对豆芽Cd化学形态分析可得,喷施硅质叶面阻隔剂可使豆芽茎叶部Cd总量降低,且"活性态"Cd总分配比例减少,"惰性态"Cd总分配比例增加,从而降低Cd对豆芽的毒害作用;由FTIR分析可以看出,喷施硅质叶面阻隔剂能够提高豆芽中碳水化合物和蛋白质含量,使一些酯类物质转化为其他物质,以提高豆芽耐Cd性。

• 单位
  材料学院; 广西大学