生长温度对氧化镓纳米球表面形貌和光学特性的影响

作者：冯秋菊^*; 王德煜; 高冲; 张建平; 李芳; 董增杰; 解金珠

来源：大学物理实验, 2020, 33(06): 43-46.

DOI：10.14139/j.cnki.cn22-1228.2020.06.012

• 化学气相沉积
• β-Ga2O3
• 纳米球

采用简单的化学气相沉积(CVD)方法,利用氧化镓粉末和碳粉作为生长的原材料,在无金属催化剂的情况下,在硅衬底上生长出了产量高、面积大、而且尺寸均一的β-Ga2O3纳米球,并研究不同生长温度对β-Ga2O3表面形貌和晶体结构的影响。通过实验分析表明,随着生长温度的升高,衬底上纳米球的数量出现了明显的增多,而且分布变得更加致密,纳米球的直径范围约为200～700 nm。另外,研究还发现样品X射线衍射图谱中(002)衍射峰的半高全宽(FWHM)随着生长温度的升高而变小,结合扫描电子显微镜(SEM)的结果可以得出利用CVD方法制备β-Ga2O3纳米球的最佳生长温度为1 200℃。

• 单位
  辽宁师范大学