SK海力士成功研发176层NAND闪存

来源：中国集成电路, 2021, Z1: 56.

<正>SK海力士日前表示,近期成功研发出基于三层存储单元(TLC)的176层512Gb(千兆位)NAND闪存。第三代4D NAND闪存达到业界最高水平,比上一代128层产品提高了35%以上生产率,增强了产品成本竞争力。另外,新产品的读取速度比上一代加快20%,数据传输速度达到每秒1.6Gb,提高了33%。