铜线作为最有发展潜力的新一代键合材料，与铝线相比，具有优异的导电及导热能力。因绝缘栅双极型晶体管（IGBT）需承载大电流，采用铜线可在键合线数量不变的基础上提高电流传输能力和散热能力。采用铜线超声楔形键合对覆铜陶瓷基板（DBC）第一键合点和第二键合点的键合工艺参数进行研究，以剪切力作为衡量键合质量的标准，采用单因素分析法研究各参数对键合点强度的影响，采用正交试验确定最佳工艺参数，为铜线键合工艺的参数设定提供参考及指导方法。
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