±1100 kV特高压阀厅金具表面电场计算及起晕校核

作者:常林晶; 徐光辉; 徐健涛; 宋铁创; 张琪; 金硕; 杜志叶; 杜鹏飞
来源:高压电器, 2018, 54(06): 87-100.
DOI:10.13296/j.1001-1609.hva.2018.06.013

摘要

为了校核±1 100 kV换流站阀厅金具的起晕状态,以某±800 kV换流站阀厅工程图和某±1 100 kV换流站阀厅初始设计方案为基础,建立阀厅3D全模型;通过瞬时电位加载法求得阀厅模型的整体电场分布,并采用子模型法对局部电场进行精确求解;根据计算结果,结合Peek公式及现有的试验数据,对管形和球形金具进行起晕校核,并对最容易起晕的金具进行优化设计。计算结果表明,本阀厅内的金具在电晕控制方面,具有一定的安全裕度;换流变D侧C相下部套管均球形压装置,最容易起晕,建议改为双环均压装置。研究成果可为在建的±1 100 kV输电工程提供指导意见。

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