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摘要
基于0.5μmInPDHBT工艺设计了一款工作在220GHz的两级太赫兹单片集成电路。该电路采用共发射极共基级结构与薄膜微带线工艺,保证了该功率放大器具有紧凑的结构的同时又具有较高的增益,该功率放大器芯片面积为1400μm×1400μm,在215～225 GHz频率范围内增益大于20 dB,在215 GHz处小信号增益达到最大值为23.3 dB,此外,在220 GHz处的饱和输出功率为3.45 dBm。该功率放大器芯片的成功研制将对构建一个220 GHz发射前端具有重要的意义,目前电路正在流片制作当中。
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