0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子可靠性研究

作者：洪根深; 肖志强; 王栩; 周淼

来源：微电子学, 2012, (02): 293-296.

• SOI
• 部分耗尽
• NMOSFET
• 热载流子效应
• 可靠性 SOI
• Partial-depletion
• NMOSFET
• Hot carrier effect
• Reliability

对0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子的可靠性进行了研究。在Vds=5V,Vgs=2.1V的条件下,加电1 000s后,宽长比为4/0.5的部分耗尽SOI H型栅NMOSFET的前栅阈值电压的漂移(ΔVt/Vt)和跨导的退化(Δgm/gm)分别为0.23%和2.98%。以器件最大跨导gm退化10%时所对应的时间作为器件寿命,依据幸运电子模型,0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寿命可达16.82年。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所