A位Ce掺杂对CaBi4Ti4O15铋层状高温压电陶瓷电性能的影响研究

作者：伍子成; 沈宗洋^*; 宋福生; 骆雯琴; 王竹梅; 李月明

来源：陶瓷学报, 2022, 43(02): 296-301.

DOI：10.13957/j.cnki.tcxb.2022.02.014

• 无铅压电陶瓷
• 铋层状结构
• CaBi4Ti4O15
• 高温传感器

采用固相反应法制备了Cex Ca1-x Bi4Ti4O15(CCBT,x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)铋层状高温压电陶瓷，研究了A位Ce掺杂对陶瓷晶体结构、微观结构、介电、压电性能的影响规律。结果表明：所有样品的主晶相均具有m=4的铋层状结构，当x≥0.08时，出现Bi2Ti2O7焦绿石杂相。当Ce掺杂量x=0.06时，样品具有最高的压电常数(d33=17 p C·N-1)，是纯CBT陶瓷(d33=8 p C·N-1)的两倍以上。同时，该陶瓷还具有居里温度高(Tc=773℃)、室温下介电损耗低(tanδ=0.7%)、电阻率高(ρ=6.4×107Ω·cm@500℃)的特点，且在550℃退火后，其d33仍保持14.2 p C·N-1，超过室温值的80%，是制作高温压电传感器的理想陶瓷材料。

• 单位
  景德镇陶瓷大学