一种降低导通电阻的氧化镓肖特基二极管及其制备方法

作者：郑雪峰; 苑子健; 洪悦华; 张翔宇; 何云龙; 马晓华; 郝跃

来源：2022-07-21, 中国, CN202210864499.5.

本发明公开了一种降低导通电阻的氧化镓肖特基二极管及其制备方法,主要解决现有技术无法制备低损伤的氧化镓衬底材料,无法有效降低器件导通电阻的问题。其自下而上,包括：阴极金属(1)、氧化镓衬底(2)、轻掺杂外延层(3)和阳极金属(4),其中,氧化镓衬底(2)使用49％浓度的氢氟酸和75％～90％浓度的高硫酸钾,以1：1的比例配制成的腐蚀溶液进行湿法腐蚀减薄；阴极金属(1)采用锯齿状欧姆接触图形结构。本发明将原有650μm的氧化镓衬底材料减薄至200～400μm,并使用减薄后的衬底制备了锯齿状欧姆接触图形结构,从而降低了导通电阻,提高了器件性能,可用于通讯、电力电子、信号处理、航空航天的电子系统。

• 单位
  西安电子科技大学