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摘要
本发明公开了一种基于纳米球掩膜的低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管制备方法,主要解决GaN高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻较大的问题。其实现为：在清洗后的外延片上淀积SiO2；在淀积有SiO2的外延片上依次进行源漏区域光刻和涂附微纳米氧化铝微纳球；通过纳米球掩模刻蚀掉外延片上源漏区的SiO2层和AlGaN层,形成源漏区图形化纳米通孔,并进行清洗；在清洗后的外延片上生长n+-GaN,并去除生长有n+-GaN的外延片上的剩余的SiO2层；再进行源漏金属淀积,并热退火；在退火后的外延片上进行栅极制作。本发明欧姆接触电阻低,刻蚀工艺简单,可用于制作电力电子器件。
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